IRFZ14PBF
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
Artikelnummer
IRFZ14PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6193 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFZ14PBF
IRFZ14PBF Elektroniska komponenter
IRFZ14PBF Försäljning
IRFZ14PBF Leverantör
IRFZ14PBF Distributör
IRFZ14PBF Datatabell
IRFZ14PBF Foton
IRFZ14PBF Pris
IRFZ14PBF Erbjudande
IRFZ14PBF Lägsta pris
IRFZ14PBF Sök
IRFZ14PBF Köp av
IRFZ14PBF Chip