IRFDC20
MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
Artikelnummer
IRFDC20
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Leverantörsenhetspaket
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Effektförlust (max)
1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
320mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.4 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43597 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFDC20
IRFDC20 Elektroniska komponenter
IRFDC20 Försäljning
IRFDC20 Leverantör
IRFDC20 Distributör
IRFDC20 Datatabell
IRFDC20 Foton
IRFDC20 Pris
IRFDC20 Erbjudande
IRFDC20 Lägsta pris
IRFDC20 Sök
IRFDC20 Köp av
IRFDC20 Chip