IRFD020PBF
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
Artikelnummer
IRFD020PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Leverantörsenhetspaket
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Effektförlust (max)
1W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
50V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46117 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFD020PBF
IRFD020PBF Elektroniska komponenter
IRFD020PBF Försäljning
IRFD020PBF Leverantör
IRFD020PBF Distributör
IRFD020PBF Datatabell
IRFD020PBF Foton
IRFD020PBF Pris
IRFD020PBF Erbjudande
IRFD020PBF Lägsta pris
IRFD020PBF Sök
IRFD020PBF Köp av
IRFD020PBF Chip