IRFD9120
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
Artikelnummer
IRFD9120
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Leverantörsenhetspaket
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Effektförlust (max)
1.3W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25110 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFD9120
IRFD9120 Elektroniska komponenter
IRFD9120 Försäljning
IRFD9120 Leverantör
IRFD9120 Distributör
IRFD9120 Datatabell
IRFD9120 Foton
IRFD9120 Pris
IRFD9120 Erbjudande
IRFD9120 Lägsta pris
IRFD9120 Sök
IRFD9120 Köp av
IRFD9120 Chip