IRFD320PBF
MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
Artikelnummer
IRFD320PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Leverantörsenhetspaket
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Effektförlust (max)
1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
400V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
490mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.8 Ohm @ 210mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
410pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20739 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFD320PBF
IRFD320PBF Elektroniska komponenter
IRFD320PBF Försäljning
IRFD320PBF Leverantör
IRFD320PBF Distributör
IRFD320PBF Datatabell
IRFD320PBF Foton
IRFD320PBF Pris
IRFD320PBF Erbjudande
IRFD320PBF Lägsta pris
IRFD320PBF Sök
IRFD320PBF Köp av
IRFD320PBF Chip