IRFD220
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
Artikelnummer
IRFD220
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Leverantörsenhetspaket
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Effektförlust (max)
1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 480mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38974 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFD220
IRFD220 Elektroniska komponenter
IRFD220 Försäljning
IRFD220 Leverantör
IRFD220 Distributör
IRFD220 Datatabell
IRFD220 Foton
IRFD220 Pris
IRFD220 Erbjudande
IRFD220 Lägsta pris
IRFD220 Sök
IRFD220 Köp av
IRFD220 Chip