Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRFD213

IRFD213

MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
Artikelnummer
IRFD213
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Leverantörsenhetspaket
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
450mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 270mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53724 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRFD213
IRFD213 Elektroniska komponenter
IRFD213 Försäljning
IRFD213 Leverantör
IRFD213 Distributör
IRFD213 Datatabell
IRFD213 Foton
IRFD213 Pris
IRFD213 Erbjudande
IRFD213 Lägsta pris
IRFD213 Sök
IRFD213 Köp av
IRFD213 Chip