IRFD113PBF
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
Artikelnummer
IRFD113PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Leverantörsenhetspaket
4-HVMDIP
Effektförlust (max)
1W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44668 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFD113PBF
IRFD113PBF Elektroniska komponenter
IRFD113PBF Försäljning
IRFD113PBF Leverantör
IRFD113PBF Distributör
IRFD113PBF Datatabell
IRFD113PBF Foton
IRFD113PBF Pris
IRFD113PBF Erbjudande
IRFD113PBF Lägsta pris
IRFD113PBF Sök
IRFD113PBF Köp av
IRFD113PBF Chip