IRF9Z30
MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB
Artikelnummer
IRF9Z30
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
74W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
50V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20457 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9Z30
IRF9Z30 Elektroniska komponenter
IRF9Z30 Försäljning
IRF9Z30 Leverantör
IRF9Z30 Distributör
IRF9Z30 Datatabell
IRF9Z30 Foton
IRF9Z30 Pris
IRF9Z30 Erbjudande
IRF9Z30 Lägsta pris
IRF9Z30 Sök
IRF9Z30 Köp av
IRF9Z30 Chip