Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF9310PBF

IRF9310PBF

MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF9310PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
165nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5250pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36222 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRF9310PBF
IRF9310PBF Elektroniska komponenter
IRF9310PBF Försäljning
IRF9310PBF Leverantör
IRF9310PBF Distributör
IRF9310PBF Datatabell
IRF9310PBF Foton
IRF9310PBF Pris
IRF9310PBF Erbjudande
IRF9310PBF Lägsta pris
IRF9310PBF Sök
IRF9310PBF Köp av
IRF9310PBF Chip