IRF9Z20PBF
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
Artikelnummer
IRF9Z20PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
40W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
50V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30255 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9Z20PBF
IRF9Z20PBF Elektroniska komponenter
IRF9Z20PBF Försäljning
IRF9Z20PBF Leverantör
IRF9Z20PBF Distributör
IRF9Z20PBF Datatabell
IRF9Z20PBF Foton
IRF9Z20PBF Pris
IRF9Z20PBF Erbjudande
IRF9Z20PBF Lägsta pris
IRF9Z20PBF Sök
IRF9Z20PBF Köp av
IRF9Z20PBF Chip