IRF9Z14S
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Artikelnummer
IRF9Z14S
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27623 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9Z14S
IRF9Z14S Elektroniska komponenter
IRF9Z14S Försäljning
IRF9Z14S Leverantör
IRF9Z14S Distributör
IRF9Z14S Datatabell
IRF9Z14S Foton
IRF9Z14S Pris
IRF9Z14S Erbjudande
IRF9Z14S Lägsta pris
IRF9Z14S Sök
IRF9Z14S Köp av
IRF9Z14S Chip