Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF9Z14LPBF

IRF9Z14LPBF

MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
Artikelnummer
IRF9Z14LPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29774 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRF9Z14LPBF
IRF9Z14LPBF Elektroniska komponenter
IRF9Z14LPBF Försäljning
IRF9Z14LPBF Leverantör
IRF9Z14LPBF Distributör
IRF9Z14LPBF Datatabell
IRF9Z14LPBF Foton
IRF9Z14LPBF Pris
IRF9Z14LPBF Erbjudande
IRF9Z14LPBF Lägsta pris
IRF9Z14LPBF Sök
IRF9Z14LPBF Köp av
IRF9Z14LPBF Chip