IRF9Z14
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
Artikelnummer
IRF9Z14
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
43W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41776 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9Z14
IRF9Z14 Elektroniska komponenter
IRF9Z14 Försäljning
IRF9Z14 Leverantör
IRF9Z14 Distributör
IRF9Z14 Datatabell
IRF9Z14 Foton
IRF9Z14 Pris
IRF9Z14 Erbjudande
IRF9Z14 Lägsta pris
IRF9Z14 Sök
IRF9Z14 Köp av
IRF9Z14 Chip