IRF9Z10
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Artikelnummer
IRF9Z10
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
43W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42820 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9Z10
IRF9Z10 Elektroniska komponenter
IRF9Z10 Försäljning
IRF9Z10 Leverantör
IRF9Z10 Distributör
IRF9Z10 Datatabell
IRF9Z10 Foton
IRF9Z10 Pris
IRF9Z10 Erbjudande
IRF9Z10 Lägsta pris
IRF9Z10 Sök
IRF9Z10 Köp av
IRF9Z10 Chip