IRF9610S
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Artikelnummer
IRF9610S
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3W (Ta), 20W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14540 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9610S
IRF9610S Elektroniska komponenter
IRF9610S Försäljning
IRF9610S Leverantör
IRF9610S Distributör
IRF9610S Datatabell
IRF9610S Foton
IRF9610S Pris
IRF9610S Erbjudande
IRF9610S Lägsta pris
IRF9610S Sök
IRF9610S Köp av
IRF9610S Chip