IRF9610PBF
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
Artikelnummer
IRF9610PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
20W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23755 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9610PBF
IRF9610PBF Elektroniska komponenter
IRF9610PBF Försäljning
IRF9610PBF Leverantör
IRF9610PBF Distributör
IRF9610PBF Datatabell
IRF9610PBF Foton
IRF9610PBF Pris
IRF9610PBF Erbjudande
IRF9610PBF Lägsta pris
IRF9610PBF Sök
IRF9610PBF Köp av
IRF9610PBF Chip