IRF9610L
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262
Artikelnummer
IRF9610L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
-
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39711 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9610L
IRF9610L Elektroniska komponenter
IRF9610L Försäljning
IRF9610L Leverantör
IRF9610L Distributör
IRF9610L Datatabell
IRF9610L Foton
IRF9610L Pris
IRF9610L Erbjudande
IRF9610L Lägsta pris
IRF9610L Sök
IRF9610L Köp av
IRF9610L Chip