IRF9510PBF
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
Artikelnummer
IRF9510PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
43W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11833 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9510PBF
IRF9510PBF Elektroniska komponenter
IRF9510PBF Försäljning
IRF9510PBF Leverantör
IRF9510PBF Distributör
IRF9510PBF Datatabell
IRF9510PBF Foton
IRF9510PBF Pris
IRF9510PBF Erbjudande
IRF9510PBF Lägsta pris
IRF9510PBF Sök
IRF9510PBF Köp av
IRF9510PBF Chip