IRF730PBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
Artikelnummer
IRF730PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
400V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20751 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF730PBF
IRF730PBF Elektroniska komponenter
IRF730PBF Försäljning
IRF730PBF Leverantör
IRF730PBF Distributör
IRF730PBF Datatabell
IRF730PBF Foton
IRF730PBF Pris
IRF730PBF Erbjudande
IRF730PBF Lägsta pris
IRF730PBF Sök
IRF730PBF Köp av
IRF730PBF Chip