IRF7103PBF
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7103PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
50V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37804 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7103PBF
IRF7103PBF Elektroniska komponenter
IRF7103PBF Försäljning
IRF7103PBF Leverantör
IRF7103PBF Distributör
IRF7103PBF Datatabell
IRF7103PBF Foton
IRF7103PBF Pris
IRF7103PBF Erbjudande
IRF7103PBF Lägsta pris
IRF7103PBF Sök
IRF7103PBF Köp av
IRF7103PBF Chip