IRF730BPBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
Artikelnummer
IRF730BPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
400V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
311pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23081 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF730BPBF
IRF730BPBF Elektroniska komponenter
IRF730BPBF Försäljning
IRF730BPBF Leverantör
IRF730BPBF Distributör
IRF730BPBF Datatabell
IRF730BPBF Foton
IRF730BPBF Pris
IRF730BPBF Erbjudande
IRF730BPBF Lägsta pris
IRF730BPBF Sök
IRF730BPBF Köp av
IRF730BPBF Chip