IRC530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5
Artikelnummer
IRC530PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-5
Leverantörsenhetspaket
TO-220-5
Effektförlust (max)
88W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Current Sensing
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47316 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRC530PBF
IRC530PBF Elektroniska komponenter
IRC530PBF Försäljning
IRC530PBF Leverantör
IRC530PBF Distributör
IRC530PBF Datatabell
IRC530PBF Foton
IRC530PBF Pris
IRC530PBF Erbjudande
IRC530PBF Lägsta pris
IRC530PBF Sök
IRC530PBF Köp av
IRC530PBF Chip