3N163-E3
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
Artikelnummer
3N163-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Leverantörsenhetspaket
TO-72
Effektförlust (max)
375mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
250 Ohm @ 100µA, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3.5pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46113 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av 3N163-E3
3N163-E3 Elektroniska komponenter
3N163-E3 Försäljning
3N163-E3 Leverantör
3N163-E3 Distributör
3N163-E3 Datatabell
3N163-E3 Foton
3N163-E3 Pris
3N163-E3 Erbjudande
3N163-E3 Lägsta pris
3N163-E3 Sök
3N163-E3 Köp av
3N163-E3 Chip