VS-FC80NA20
MOSFET N-CH 200V 108A
Artikelnummer
VS-FC80NA20
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227
Effektförlust (max)
405W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
108A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
161nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10720pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18576 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av VS-FC80NA20
VS-FC80NA20 Elektroniska komponenter
VS-FC80NA20 Försäljning
VS-FC80NA20 Leverantör
VS-FC80NA20 Distributör
VS-FC80NA20 Datatabell
VS-FC80NA20 Foton
VS-FC80NA20 Pris
VS-FC80NA20 Erbjudande
VS-FC80NA20 Lägsta pris
VS-FC80NA20 Sök
VS-FC80NA20 Köp av
VS-FC80NA20 Chip