VS-FB180SA10P
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Artikelnummer
VS-FB180SA10P
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227
Effektförlust (max)
480W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
380nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48025 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av VS-FB180SA10P
VS-FB180SA10P Elektroniska komponenter
VS-FB180SA10P Försäljning
VS-FB180SA10P Leverantör
VS-FB180SA10P Distributör
VS-FB180SA10P Datatabell
VS-FB180SA10P Foton
VS-FB180SA10P Pris
VS-FB180SA10P Erbjudande
VS-FB180SA10P Lägsta pris
VS-FB180SA10P Sök
VS-FB180SA10P Köp av
VS-FB180SA10P Chip