TPH3208PS
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Artikelnummer
TPH3208PS
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
96W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 400V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V
Vgs (max)
±18V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48712 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPH3208PS
TPH3208PS Elektroniska komponenter
TPH3208PS Försäljning
TPH3208PS Leverantör
TPH3208PS Distributör
TPH3208PS Datatabell
TPH3208PS Foton
TPH3208PS Pris
TPH3208PS Erbjudande
TPH3208PS Lägsta pris
TPH3208PS Sök
TPH3208PS Köp av
TPH3208PS Chip