TPH3205WSBQA
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Artikelnummer
TPH3205WSBQA
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
62 mOhm @ 22A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 700µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 400V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
±18V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11542 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPH3205WSBQA
TPH3205WSBQA Elektroniska komponenter
TPH3205WSBQA Försäljning
TPH3205WSBQA Leverantör
TPH3205WSBQA Distributör
TPH3205WSBQA Datatabell
TPH3205WSBQA Foton
TPH3205WSBQA Pris
TPH3205WSBQA Erbjudande
TPH3205WSBQA Lägsta pris
TPH3205WSBQA Sök
TPH3205WSBQA Köp av
TPH3205WSBQA Chip