TPH3208PD
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Artikelnummer
TPH3208PD
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 400V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9862 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPH3208PD
TPH3208PD Elektroniska komponenter
TPH3208PD Försäljning
TPH3208PD Leverantör
TPH3208PD Distributör
TPH3208PD Datatabell
TPH3208PD Foton
TPH3208PD Pris
TPH3208PD Erbjudande
TPH3208PD Lägsta pris
TPH3208PD Sök
TPH3208PD Köp av
TPH3208PD Chip