TPH3208LSG
MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Artikelnummer
TPH3208LSG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
3-PowerDFN
Leverantörsenhetspaket
3-PQFN (8x8)
Effektförlust (max)
96W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 400V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V
Vgs (max)
±18V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24185 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPH3208LSG
TPH3208LSG Elektroniska komponenter
TPH3208LSG Försäljning
TPH3208LSG Leverantör
TPH3208LSG Distributör
TPH3208LSG Datatabell
TPH3208LSG Foton
TPH3208LSG Pris
TPH3208LSG Erbjudande
TPH3208LSG Lägsta pris
TPH3208LSG Sök
TPH3208LSG Köp av
TPH3208LSG Chip