TPH3208LD
MOSFET N-CH 650V 20A PQFN
Artikelnummer
TPH3208LD
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
4-PowerDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (8x8)
Effektförlust (max)
96W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 400V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V
Vgs (max)
±18V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21835 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPH3208LD
TPH3208LD Elektroniska komponenter
TPH3208LD Försäljning
TPH3208LD Leverantör
TPH3208LD Distributör
TPH3208LD Datatabell
TPH3208LD Foton
TPH3208LD Pris
TPH3208LD Erbjudande
TPH3208LD Lägsta pris
TPH3208LD Sök
TPH3208LD Köp av
TPH3208LD Chip