TPH3206PSB
MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB
Artikelnummer
TPH3206PSB
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
81W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 480V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V
Vgs (max)
±18V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14778 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPH3206PSB
TPH3206PSB Elektroniska komponenter
TPH3206PSB Försäljning
TPH3206PSB Leverantör
TPH3206PSB Distributör
TPH3206PSB Datatabell
TPH3206PSB Foton
TPH3206PSB Pris
TPH3206PSB Erbjudande
TPH3206PSB Lägsta pris
TPH3206PSB Sök
TPH3206PSB Köp av
TPH3206PSB Chip