TPH3206PD
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Artikelnummer
TPH3206PD
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
96W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 480V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V
Vgs (max)
±18V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51481 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPH3206PD
TPH3206PD Elektroniska komponenter
TPH3206PD Försäljning
TPH3206PD Leverantör
TPH3206PD Distributör
TPH3206PD Datatabell
TPH3206PD Foton
TPH3206PD Pris
TPH3206PD Erbjudande
TPH3206PD Lägsta pris
TPH3206PD Sök
TPH3206PD Köp av
TPH3206PD Chip