TPH3206LDB
MOSFET N-CH 650V 16A PQFN
Artikelnummer
TPH3206LDB
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
4-PowerDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (8x8)
Effektförlust (max)
81W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 480V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V
Vgs (max)
±18V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24136 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPH3206LDB
TPH3206LDB Elektroniska komponenter
TPH3206LDB Försäljning
TPH3206LDB Leverantör
TPH3206LDB Distributör
TPH3206LDB Datatabell
TPH3206LDB Foton
TPH3206LDB Pris
TPH3206LDB Erbjudande
TPH3206LDB Lägsta pris
TPH3206LDB Sök
TPH3206LDB Köp av
TPH3206LDB Chip