TPW4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Artikelnummer
TPW4R008NH,L1Q
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-DSOP Advance
Effektförlust (max)
800mW (Ta), 142W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
116A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5300pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26159 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPW4R008NH,L1Q
TPW4R008NH,L1Q Elektroniska komponenter
TPW4R008NH,L1Q Försäljning
TPW4R008NH,L1Q Leverantör
TPW4R008NH,L1Q Distributör
TPW4R008NH,L1Q Datatabell
TPW4R008NH,L1Q Foton
TPW4R008NH,L1Q Pris
TPW4R008NH,L1Q Erbjudande
TPW4R008NH,L1Q Lägsta pris
TPW4R008NH,L1Q Sök
TPW4R008NH,L1Q Köp av
TPW4R008NH,L1Q Chip