TPN7R506NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Artikelnummer
TPN7R506NH,L1Q
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Effektförlust (max)
700mW (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37342 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPN7R506NH,L1Q
TPN7R506NH,L1Q Elektroniska komponenter
TPN7R506NH,L1Q Försäljning
TPN7R506NH,L1Q Leverantör
TPN7R506NH,L1Q Distributör
TPN7R506NH,L1Q Datatabell
TPN7R506NH,L1Q Foton
TPN7R506NH,L1Q Pris
TPN7R506NH,L1Q Erbjudande
TPN7R506NH,L1Q Lägsta pris
TPN7R506NH,L1Q Sök
TPN7R506NH,L1Q Köp av
TPN7R506NH,L1Q Chip