TPN4R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
Artikelnummer
TPN4R712MD,L1Q
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVI
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Effektförlust (max)
42W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4300pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26105 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPN4R712MD,L1Q
TPN4R712MD,L1Q Elektroniska komponenter
TPN4R712MD,L1Q Försäljning
TPN4R712MD,L1Q Leverantör
TPN4R712MD,L1Q Distributör
TPN4R712MD,L1Q Datatabell
TPN4R712MD,L1Q Foton
TPN4R712MD,L1Q Pris
TPN4R712MD,L1Q Erbjudande
TPN4R712MD,L1Q Lägsta pris
TPN4R712MD,L1Q Sök
TPN4R712MD,L1Q Köp av
TPN4R712MD,L1Q Chip