TPN1110ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Artikelnummer
TPN1110ENH,L1Q
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Effektförlust (max)
700mW (Ta), 39W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10677 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPN1110ENH,L1Q
TPN1110ENH,L1Q Elektroniska komponenter
TPN1110ENH,L1Q Försäljning
TPN1110ENH,L1Q Leverantör
TPN1110ENH,L1Q Distributör
TPN1110ENH,L1Q Datatabell
TPN1110ENH,L1Q Foton
TPN1110ENH,L1Q Pris
TPN1110ENH,L1Q Erbjudande
TPN1110ENH,L1Q Lägsta pris
TPN1110ENH,L1Q Sök
TPN1110ENH,L1Q Köp av
TPN1110ENH,L1Q Chip