Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
TPH8R80ANH,L1Q

TPH8R80ANH,L1Q

MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Artikelnummer
TPH8R80ANH,L1Q
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-SOP Advance (5x5)
Effektförlust (max)
1.6W (Ta), 61W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8531 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av TPH8R80ANH,L1Q
TPH8R80ANH,L1Q Elektroniska komponenter
TPH8R80ANH,L1Q Försäljning
TPH8R80ANH,L1Q Leverantör
TPH8R80ANH,L1Q Distributör
TPH8R80ANH,L1Q Datatabell
TPH8R80ANH,L1Q Foton
TPH8R80ANH,L1Q Pris
TPH8R80ANH,L1Q Erbjudande
TPH8R80ANH,L1Q Lägsta pris
TPH8R80ANH,L1Q Sök
TPH8R80ANH,L1Q Köp av
TPH8R80ANH,L1Q Chip