TPH4R10ANL,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Artikelnummer
TPH4R10ANL,L1Q
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-SOP Advance (5x5)
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 67W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
92A (Ta), 70A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6.3nF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16940 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPH4R10ANL,L1Q
TPH4R10ANL,L1Q Elektroniska komponenter
TPH4R10ANL,L1Q Försäljning
TPH4R10ANL,L1Q Leverantör
TPH4R10ANL,L1Q Distributör
TPH4R10ANL,L1Q Datatabell
TPH4R10ANL,L1Q Foton
TPH4R10ANL,L1Q Pris
TPH4R10ANL,L1Q Erbjudande
TPH4R10ANL,L1Q Lägsta pris
TPH4R10ANL,L1Q Sök
TPH4R10ANL,L1Q Köp av
TPH4R10ANL,L1Q Chip