TK9J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Artikelnummer
TK9J90E,S1E
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3P(N)
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 900µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48162 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK9J90E,S1E
TK9J90E,S1E Elektroniska komponenter
TK9J90E,S1E Försäljning
TK9J90E,S1E Leverantör
TK9J90E,S1E Distributör
TK9J90E,S1E Datatabell
TK9J90E,S1E Foton
TK9J90E,S1E Pris
TK9J90E,S1E Erbjudande
TK9J90E,S1E Lägsta pris
TK9J90E,S1E Sök
TK9J90E,S1E Köp av
TK9J90E,S1E Chip