TK7S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Artikelnummer
TK7S10N1Z,LQ
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK+
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.1nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26024 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK7S10N1Z,LQ
TK7S10N1Z,LQ Elektroniska komponenter
TK7S10N1Z,LQ Försäljning
TK7S10N1Z,LQ Leverantör
TK7S10N1Z,LQ Distributör
TK7S10N1Z,LQ Datatabell
TK7S10N1Z,LQ Foton
TK7S10N1Z,LQ Pris
TK7S10N1Z,LQ Erbjudande
TK7S10N1Z,LQ Lägsta pris
TK7S10N1Z,LQ Sök
TK7S10N1Z,LQ Köp av
TK7S10N1Z,LQ Chip