TK7Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
Artikelnummer
TK7Q60W,S1VQ
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 350µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22040 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK7Q60W,S1VQ
TK7Q60W,S1VQ Elektroniska komponenter
TK7Q60W,S1VQ Försäljning
TK7Q60W,S1VQ Leverantör
TK7Q60W,S1VQ Distributör
TK7Q60W,S1VQ Datatabell
TK7Q60W,S1VQ Foton
TK7Q60W,S1VQ Pris
TK7Q60W,S1VQ Erbjudande
TK7Q60W,S1VQ Lägsta pris
TK7Q60W,S1VQ Sök
TK7Q60W,S1VQ Köp av
TK7Q60W,S1VQ Chip