TK6P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Artikelnummer
TK6P65W,RQ
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 180µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26215 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK6P65W,RQ
TK6P65W,RQ Elektroniska komponenter
TK6P65W,RQ Försäljning
TK6P65W,RQ Leverantör
TK6P65W,RQ Distributör
TK6P65W,RQ Datatabell
TK6P65W,RQ Foton
TK6P65W,RQ Pris
TK6P65W,RQ Erbjudande
TK6P65W,RQ Lägsta pris
TK6P65W,RQ Sök
TK6P65W,RQ Köp av
TK6P65W,RQ Chip