Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
TK65G10N1,RQ

TK65G10N1,RQ

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Artikelnummer
TK65G10N1,RQ
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
65A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5400pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37633 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av TK65G10N1,RQ
TK65G10N1,RQ Elektroniska komponenter
TK65G10N1,RQ Försäljning
TK65G10N1,RQ Leverantör
TK65G10N1,RQ Distributör
TK65G10N1,RQ Datatabell
TK65G10N1,RQ Foton
TK65G10N1,RQ Pris
TK65G10N1,RQ Erbjudande
TK65G10N1,RQ Lägsta pris
TK65G10N1,RQ Sök
TK65G10N1,RQ Köp av
TK65G10N1,RQ Chip