TK62N60X,S1F
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Artikelnummer
TK62N60X,S1F
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
400W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
61.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 3.1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
135nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6500pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39186 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK62N60X,S1F
TK62N60X,S1F Elektroniska komponenter
TK62N60X,S1F Försäljning
TK62N60X,S1F Leverantör
TK62N60X,S1F Distributör
TK62N60X,S1F Datatabell
TK62N60X,S1F Foton
TK62N60X,S1F Pris
TK62N60X,S1F Erbjudande
TK62N60X,S1F Lägsta pris
TK62N60X,S1F Sök
TK62N60X,S1F Köp av
TK62N60X,S1F Chip