TK56E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 56A TO-220
Artikelnummer
TK56E12N1,S1X
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
168W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
120V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
56A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 60V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38074 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK56E12N1,S1X
TK56E12N1,S1X Elektroniska komponenter
TK56E12N1,S1X Försäljning
TK56E12N1,S1X Leverantör
TK56E12N1,S1X Distributör
TK56E12N1,S1X Datatabell
TK56E12N1,S1X Foton
TK56E12N1,S1X Pris
TK56E12N1,S1X Erbjudande
TK56E12N1,S1X Lägsta pris
TK56E12N1,S1X Sök
TK56E12N1,S1X Köp av
TK56E12N1,S1X Chip