TK560A65Y,S4X
MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Artikelnummer
TK560A65Y,S4X
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220SIS
Effektförlust (max)
30W
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
560 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21288 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK560A65Y,S4X
TK560A65Y,S4X Elektroniska komponenter
TK560A65Y,S4X Försäljning
TK560A65Y,S4X Leverantör
TK560A65Y,S4X Distributör
TK560A65Y,S4X Datatabell
TK560A65Y,S4X Foton
TK560A65Y,S4X Pris
TK560A65Y,S4X Erbjudande
TK560A65Y,S4X Lägsta pris
TK560A65Y,S4X Sök
TK560A65Y,S4X Köp av
TK560A65Y,S4X Chip