köpa Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL,RQ MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

TK4R4P06PL,RQ

MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK

Artikelnummer

TK4R4P06PL,RQ

Tillverkare/varumärke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serier

U-MOSIX-H

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

175°C

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Leverantörsenhetspaket

DPAK

Effektförlust (max)

87W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

60V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

58A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 500µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

48.2nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

3280pF @ 30V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

Vgs (max)

±20V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 48172 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter