köpa Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

TK3A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Artikelnummer

TK3A65D(STA4,Q,M)

Tillverkare/varumärke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serier

π-MOSVII

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

150°C (TJ)

Monteringstyp

Through Hole

Paket/fodral

TO-220-3 Full Pack

Leverantörsenhetspaket

TO-220SIS

Effektförlust (max)

35W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

650V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

2.25 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±30V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 53673 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

TK3A60DA(Q,M)